دیتاشیت AO3400-HXY
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
AO3400-HXY
|
حجم فایل |
57.945
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
6
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
HXY MOSFET AO3400-HXY
-
Power Dissipation (Pd):
1.4W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
825pF@15V
-
Continuous Drain Current (Id):
5.8A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
28mΩ@10V,5.8A
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
HXY MOSFET